SMT იყენებს ჩვეულებრივი შედუღების პასტის ჰაერის გადადინების შედუღების ღრუს ანალიზს და ხსნარს (2023 Essence Edition), თქვენ ამას იმსახურებთ!
1 შესავალი
მიკროსქემის დაფის ასამბლეაში, ჯერ იბეჭდება მიკროსქემის დაფის შედუღების ბალიშზე, შემდეგ კი დამაგრებულია სხვადასხვა ელექტრონული კომპონენტი.დაბოლოს, გადამუშავების ღუმელის შემდეგ, შედუღების პასტაში თუნუქის მარცვლები დნება და ყველა სახის ელექტრონული კომპონენტი და მიკროსქემის დაფის შედუღების ბალიშები შედუღებულია, რათა მოხდეს ელექტრული ქვემოდულების შეკრება.ზედაპირის დამონტაჟების ტექნოლოგია (sMT) სულ უფრო ხშირად გამოიყენება მაღალი სიმკვრივის შესაფუთ პროდუქტებში, როგორიცაა სისტემის დონის პაკეტი (siP), ballgridarray (BGA) მოწყობილობები და შიშველი ჩიპი, კვადრატული ბრტყელი ქინძისთავის გარეშე პაკეტი (quad aatNo-lead, მოხსენიებული, როგორც QFN. ) მოწყობილობა.
შედუღების პასტის შედუღების პროცესისა და მასალების თავისებურებების გამო, ამ დიდი შედუღების ზედაპირის მოწყობილობების ხელახალი შედუღების შემდეგ, გაჩნდება ხვრელები შედუღების არეში, რაც გავლენას მოახდენს პროდუქტის ელექტრულ თვისებებზე, თერმულ თვისებებზე და მექანიკურ თვისებებზე. პროდუქციის უკმარისობამდეც კი გამოიწვიოს, შესაბამისად, შედუღების ღრუს შედუღების ღრუს გაუმჯობესება გახდა პროცესი და ტექნიკური პრობლემა, რომელიც უნდა მოგვარდეს, ზოგიერთმა მკვლევარმა გააანალიზა და შეისწავლა BGA შედუღების ბურთულების გამომწვევი მიზეზები და უზრუნველყო გაუმჯობესებული გადაწყვეტილებები, ჩვეულებრივი შედუღება პასტის რეflow შედუღების პროცესის შედუღების არე QFN 10 მმ2-ზე მეტი ან 6 მმ2-ზე მეტი შედუღების ჩიპის ხსნარი აკლია.
შედუღების ხვრელის გასაუმჯობესებლად გამოიყენეთ Preformsolder შედუღება და ვაკუუმური რეფლუქსის ღუმელში შედუღება.ასაწყობი შედუღება საჭიროებს სპეციალურ აღჭურვილობას ნაკადის დასაფიქსირებლად.მაგალითად, ჩიპი არის ოფსეტური და სერიოზულად დახრილი მას შემდეგ, რაც ჩიპი მოთავსდება პირდაპირ ასაწყობ სამაგრზე.თუ ნაკადის სამონტაჟო ჩიპი არის ხელახალი და შემდეგ წერტილი, პროცესი გაიზრდება ორი ხელახალი შემოდინებით და ასაწყობი შედუღების და ნაკადის მასალის ღირებულება გაცილებით მაღალია, ვიდრე შედუღების პასტა.
ვაკუუმური რეფლუქსის აპარატურა უფრო ძვირია, დამოუკიდებელი ვაკუუმ კამერის ვაკუუმური სიმძლავრე ძალიან დაბალია, ღირებულების შესრულება არ არის მაღალი და თუნუქის დაფრქვევის პრობლემა სერიოზულია, რაც მნიშვნელოვანი ფაქტორია მაღალი სიმკვრივისა და მცირე სიჩქარის გამოყენებაში. პროდუქტები.ამ ნაშრომში, ჩვეულებრივი შედუღების პასტის ხელახალი შედუღების პროცესის საფუძველზე, შემუშავდა და დაინერგა შედუღების ღრუს გასაუმჯობესებლად და შედუღების ღრუს მიერ გამოწვეული შემაკავშირებელ და პლასტიკური ბეჭდის ბზარის პრობლემების გადასაჭრელად შემუშავებული და დანერგილი ახალი მეორადი შედუღების პროცესი.
2 შედუღების პასტის ბეჭდვის რეflow შედუღების ღრუ და წარმოების მექანიზმი
2.1 შედუღების ღრუ
ხელახალი შედუღების შემდეგ, პროდუქტი შემოწმდა რენტგენის ქვეშ.უფრო ღია ფერის შედუღების ზონაში არსებული ხვრელები შედუღების ფენის არასაკმარისი შედუღების გამო, როგორც ნაჩვენებია სურათზე 1.
ბუშტის ხვრელის რენტგენის გამოვლენა
2.2 შედუღების ღრუს ფორმირების მექანიზმი
მაგალითად, sAC305 შედუღების პასტის გათვალისწინებით, ძირითადი შემადგენლობა და ფუნქცია ნაჩვენებია ცხრილში 1. ნაკადი და თუნუქის მძივები ერთმანეთთან არის შეკრული პასტის სახით.თუნუქის შედუღების წონის თანაფარდობა ნაკადთან არის დაახლოებით 9:1, ხოლო მოცულობის თანაფარდობა დაახლოებით 1:1.
მას შემდეგ, რაც შედუღების პასტის დაბეჭდვა და დამონტაჟება ხდება სხვადასხვა ელექტრონულ კომპონენტებთან, შედუღების პასტა გაივლის წინასწარ გახურების, გააქტიურების, რეფლუქსის და გაგრილების ოთხ ეტაპს, როდესაც ის გაივლის რეფლუქს ღუმელში.შედუღების პასტის მდგომარეობა ასევე განსხვავებულია სხვადასხვა ტემპერატურით სხვადასხვა ეტაპზე, როგორც ნაჩვენებია 2-ში.
პროფილის მითითება ხელახალი შედუღების თითოეული ზონისთვის
წინასწარ გახურებისა და გააქტიურების ეტაპზე, შედუღების პასტის ნაკადში აქროლადი კომპონენტები გაცხელებისას გაზად გადაიქცევა.ამავდროულად, აირები წარმოიქმნება, როდესაც შედუღების ფენის ზედაპირზე ოქსიდი მოიხსნება.ამ გაზების ნაწილი აორთქლდება და დატოვებს შედუღების პასტას, ხოლო შედუღების მარცვლები მჭიდროდ შედედდება ნაკადის აორთქლების გამო.რეფლუქსის სტადიაზე, შედუღების პასტაში დარჩენილი ნაკადი სწრაფად აორთქლდება, თუნუქის მარცვლები დნება, მცირე რაოდენობით ნაკადად აქროლადი გაზი და ჰაერის უმეტესობა თუნუქის მარცვლებს შორის დროულად არ გაიფანტება, ხოლო ნარჩენი გამდნარი თუნუქის და გამდნარი თუნუქის დაძაბულობის ქვეშ არის ჰამბურგერის სენდვიჩის სტრუქტურა და იჭერს მიკროსქემის დაფის შედუღების ბალიშს და ელექტრონულ კომპონენტებს, ხოლო თხევად თუნუქში გახვეული გაზი ძნელია გაქცევა მხოლოდ ზევით აწევით. ზედა დნობის დრო ძალიან მოკლე.როდესაც გამდნარი კალა გაცივდება და ხდება მყარი კალა, შედუღების ფენაში ჩნდება ფორები და წარმოიქმნება შედუღების ხვრელები, როგორც ეს ნაჩვენებია სურათზე 3.
შედუღების პასტის ხელახალი შედუღების შედეგად წარმოქმნილი სიცარიელის სქემატური დიაგრამა
შედუღების ღრუს ძირეული მიზეზი არის ის, რომ ჰაერი ან აქროლადი გაზი, რომელიც შეფუთულია შედუღების პასტაში დნობის შემდეგ, მთლიანად არ არის გამონადენი.გავლენის ფაქტორები მოიცავს შედუღების პასტის მასალას, შედუღების პასტის ბეჭდვის ფორმას, შედუღების პასტის ბეჭდვის რაოდენობას, რეფლუქსის ტემპერატურას, რეფლუქსის დროს, შედუღების ზომას, სტრუქტურას და ა.შ.
3. შედუღების პასტის ბეჭდვითი შედუღების ხვრელების გავლენის ფაქტორების შემოწმება
QFN და შიშველი ჩიპის ტესტები გამოიყენებოდა ხელახალი შედუღების სიცარიელის ძირითადი მიზეზების დასადასტურებლად და შედუღების პასით დაბეჭდილი ხელახალი შედუღების სიცარიელის გასაუმჯობესებლად გზების მოსაძებნად.QFN და შიშველი ჩიპის შედუღების პასტის ხელახალი შედუღების პროდუქტის პროფილი ნაჩვენებია სურათზე 4, QFN შედუღების ზედაპირის ზომაა 4,4 მმx4,1 მმ, შედუღების ზედაპირი დაკონსერვებული ფენაა (100% სუფთა კალის);შიშველი ჩიპის შედუღების ზომაა 3.0მმx2.3მმ, შედუღების ფენა ნიკელ-ვანადიუმის ბიმეტალური ფენაა, ხოლო ზედაპირული ფენა არის ვანადიუმი.სუბსტრატის შედუღების საფენი იყო ელექტრო ნიკელ-პალადიუმის ოქრო-ჩაძირვა, ხოლო სისქე იყო 0.4μm/0.06μm/0.04μm.გამოყენებულია SAC305 გამაგრილებელი პასტა, გამაგრილებელი პასტის დასაბეჭდი მოწყობილობაა DEK Horizon APix, რეფლუქსის ღუმელის მოწყობილობა არის BTUPyramax150N, ხოლო რენტგენის მოწყობილობა არის DAGExD7500VR.
QFN და შიშველი ჩიპის შედუღების ნახატები
ტესტის შედეგების შედარების გასაადვილებლად, ხელახალი შედუღება ჩატარდა ცხრილი 2-ის პირობებში.
Reflow შედუღების მდგომარეობის ცხრილი
ზედაპირის დამონტაჟებისა და შედუღების დასრულების შემდეგ, შედუღების ფენა გამოვლინდა რენტგენის საშუალებით და აღმოჩნდა, რომ დიდი ხვრელები იყო შედუღების ფენაში QFN-ის ბოლოში და შიშველი ჩიპის, როგორც ეს ნაჩვენებია 5-ში.
QFN და ჩიპის ჰოლოგრამა (რენტგენი)
ვინაიდან თუნუქის მძივის ზომა, ფოლადის ბადის სისქე, გახსნის ფართობის სიჩქარე, ფოლადის ბადის ფორმა, რეფლუქსის დრო და პიკური ღუმელის ტემპერატურა გავლენას მოახდენს შედუღების სიცარიელეებზე, არსებობს მრავალი გავლენის ფაქტორი, რომელიც პირდაპირ დამოწმებული იქნება DOE ტესტით და ექსპერიმენტული რაოდენობა. ჯგუფები ძალიან დიდი იქნება.აუცილებელია ძირითადი გავლენის ფაქტორების სწრაფი სკრინინგი და დადგენა კორელაციური შედარების ტესტის მეშვეობით, შემდეგ კი ძირითადი გავლენის ფაქტორების შემდგომი ოპტიმიზაცია DOE-ს მეშვეობით.
3.1 გამაგრილებლის ხვრელებისა და შედუღების პასტის თუნუქის მძივების ზომები
Type3 (მძივის ზომა 25-45 μm) SAC305 შედუღების პასტის ტესტით, სხვა პირობები უცვლელი რჩება.ხელახალი გადინების შემდეგ, შედუღების ფენაში არსებული ხვრელების გაზომვა ხდება და შედარება 4 ტიპის შედუღების პასტასთან.გაირკვა, რომ შედუღების ფენის ხვრელები მნიშვნელოვნად არ განსხვავდება შედუღების პასტის ორ სახეობას შორის, რაც მიუთითებს იმაზე, რომ სხვადასხვა ზომის მძივების მქონე შედუღების პასტა არ ახდენს აშკარა გავლენას შედუღების ფენის ხვრელებზე, რაც არ არის გავლენის ფაქტორი. როგორც ნაჩვენებია ნახ.6 როგორც ნაჩვენებია.
მეტალის კალის ფხვნილის ხვრელების შედარება სხვადასხვა ზომის ნაწილაკებით
3.2 შედუღების ღრუს და დაბეჭდილი ფოლადის ბადის სისქე
ხელახალი გადინების შემდეგ, შედუღებული ფენის ღრუს ფართობი გაზომეს დაბეჭდილი ფოლადის ბადით 50 μm, 100 μm და 125 μm სისქით, ხოლო სხვა პირობები უცვლელი დარჩა.აღმოჩნდა, რომ QFN-ზე სხვადასხვა სისქის ფოლადის ბადის მოქმედება შედარებულია 75 μm სისქის დაბეჭდილი ფოლადის ბადისთან, როგორც ფოლადის ბადის სისქე იზრდება, ღრუს ფართობი თანდათან მცირდება ნელა.გარკვეული სისქის (100μm) მიღწევის შემდეგ, ღრუს ფართობი შებრუნდება და დაიწყებს ზრდას ფოლადის ბადის სისქის მატებასთან ერთად, როგორც ეს ნაჩვენებია სურათზე 7.
ეს გვიჩვენებს, რომ როდესაც გამაგრილებელი პასტის რაოდენობა იზრდება, თხევადი თუნუქის რეფლუქსით დაფარულია ჩიპი, ხოლო ნარჩენი ჰაერის გასასვლელი მხოლოდ ოთხი მხრიდან ვიწროა.როდესაც შედუღების პასტის რაოდენობა იცვლება, ნარჩენი ჰაერის გამოსავალი ასევე იზრდება და თხევად თუნუქში გახვეული ჰაერის მყისიერი აფეთქება ან თხევადი თუნუქით გამომავალი აირი გამოიწვევს თხევადი თუნუქის დაღვრას QFN-სა და ჩიპის გარშემო.
ტესტმა დაადგინა, რომ ფოლადის ბადის სისქის მატებასთან ერთად, ასევე გაიზრდება ჰაერის ან აქროლადი აირის გაქცევით გამოწვეული ბუშტის აფეთქება და შესაბამისად, გაიზრდება თუნუქის დაფრქვევის ალბათობა QFN-სა და ჩიპის გარშემო.
სხვადასხვა სისქის ფოლადის ბადეში ხვრელების შედარება
3.3 შედუღების ღრუსა და ფოლადის ბადის გახსნის ფართობის თანაფარდობა
დაბეჭდილი ფოლადის ბადე 100%, 90% და 80% გახსნის ტემპით შემოწმდა და სხვა პირობები უცვლელი დარჩა.ხელახალი გადინების შემდეგ, შედუღებული ფენის ღრუს ფართობი გაზომეს და შეადარეს დაბეჭდილ ფოლადის ბადესთან 100% გახსნის სიჩქარით.აღმოჩნდა, რომ არ იყო მნიშვნელოვანი განსხვავება შედუღებული ფენის ღრუში 100% და 90% 80% გახსნის პირობებში, როგორც ნაჩვენებია 8-ში.
ღრუს შედარება სხვადასხვა ფოლადის ბადის სხვადასხვა გახსნის ფართობზე
3.4 შედუღებული ღრუ და დაბეჭდილი ფოლადის ბადის ფორმა
ბ ზოლის შედუღების პასტის და დახრილი ბადის c საბეჭდი ფორმის ტესტით, სხვა პირობები უცვლელი რჩება.ხელახალი გადინების შემდეგ, შედუღების ფენის ღრუს ფართობი იზომება და შედარებულია ბადის ბეჭდვის ფორმასთან a.აღმოჩნდა, რომ არ არის მნიშვნელოვანი განსხვავება შედუღების ფენის ღრუში ბადის, ზოლის და დახრილი ბადის პირობებში, როგორც ეს ნაჩვენებია სურათზე 9.
ხვრელების შედარება ფოლადის ბადის გახსნის სხვადასხვა რეჟიმში
3.5 შედუღების ღრუ და რეფლუქსის დრო
გახანგრძლივებული რეფლუქსის დროის (70 წმ, 80 წმ, 90 წმ) ტესტის შემდეგ, სხვა პირობები უცვლელი რჩება, შედუღების ფენის ხვრელი გაიზომა რეფლუქსის შემდეგ და რეფლუქსის დროს 60 წმ-თან შედარებით, აღმოჩნდა, რომ მატებასთან ერთად. რეფლუქსის დრო, შედუღების ხვრელის ფართობი შემცირდა, მაგრამ შემცირების ამპლიტუდა თანდათან მცირდება დროის მატებასთან ერთად, როგორც ნაჩვენებია სურათზე 10. ეს გვიჩვენებს, რომ რეფლუქსის არასაკმარისი დროის შემთხვევაში, რეფლუქსის დროის გაზრდა ხელს უწყობს ჰაერის სრულ გადინებას. გახვეული გამდნარი თხევადი თუნუქით, მაგრამ მას შემდეგ, რაც რეფლუქსის დრო გარკვეულ დრომდე გაიზრდება, თხევადი თუნუქით გახვეული ჰაერი ძნელია ხელახლა გადმოდინება.რეფლუქსის დრო ერთ-ერთი ფაქტორია, რომელიც გავლენას ახდენს შედუღების ღრუზე.
ბათილი შედარება სხვადასხვა რეფლუქსის დროის სიგრძის
3.6 შედუღების ღრუს და პიკური ღუმელის ტემპერატურა
240 ℃ და 250 ℃ პიკური ღუმელის ტემპერატურის ტესტის და სხვა პირობების უცვლელად, შედუღებული ფენის ღრუს ფართობი გაიზომა ხელახალი გადინების შემდეგ და 260 ℃ პიკური ღუმელის ტემპერატურასთან შედარებით, აღმოჩნდა, რომ პიკური ღუმელის ტემპერატურის სხვადასხვა პირობებში, ღრუ QFN-ისა და ჩიპის შედუღებული ფენა მნიშვნელოვნად არ შეცვლილა, როგორც ნაჩვენებია სურათზე 11. ეს გვიჩვენებს, რომ სხვადასხვა პიკური ღუმელის ტემპერატურა აშკარა გავლენას არ ახდენს QFN-ზე და ჩიპის შედუღების ფენის ხვრელზე, რაც არ არის გავლენის ფაქტორი.
ბათილია სხვადასხვა პიკური ტემპერატურის შედარება
ზემოაღნიშნული ტესტები მიუთითებს იმაზე, რომ მნიშვნელოვანი ფაქტორები, რომლებიც გავლენას ახდენენ QFN-ისა და ჩიპის შედუღების ფენის ღრუზე, არის რეფლუქსის დრო და ფოლადის ბადის სისქე.
4 Solder პასტის ბეჭდვის reflow შედუღების ღრუს გაუმჯობესება
4.1DOE ტესტი შედუღების ღრუს გასაუმჯობესებლად
QFN-ისა და ჩიპის შედუღების ფენაში არსებული ხვრელი გაუმჯობესდა ძირითადი გავლენის ფაქტორების ოპტიმალური მნიშვნელობის (რეფლუქსის დრო და ფოლადის ბადის სისქე) აღმოჩენით.შედუღების პასტა იყო SAC305 type4, ფოლადის ბადის ფორმა იყო ბადის ტიპის (100% გახსნის ხარისხი), პიკური ღუმელის ტემპერატურა იყო 260 ℃ და სხვა სატესტო პირობები იგივე იყო, რაც ტესტის აღჭურვილობისთვის.DOE ტესტი და შედეგები ნაჩვენებია ცხრილში 3. ფოლადის ბადის სისქის და რეფლუქსის დროის გავლენა QFN-ზე და ჩიპის შედუღების ხვრელებზე ნაჩვენებია ნახატზე 12. ძირითადი გავლენის ფაქტორების ურთიერთქმედების ანალიზის საშუალებით აღმოჩნდა, რომ 100 μm ფოლადის ბადის სისქის გამოყენებით. და 80 წამის რეფლუქსის დრომ შეიძლება მნიშვნელოვნად შეამციროს QFN და ჩიპის შედუღების ღრუ.QFN-ის შედუღების ღრუს სიჩქარე მცირდება მაქსიმალური 27,8%-დან 16,1%-მდე, ხოლო ჩიპის შედუღების ღრუს სიჩქარე მცირდება მაქსიმალური 20,5%-დან 14,5%-მდე.
ტესტში, 1000 პროდუქტი დამზადდა ოპტიმალურ პირობებში (100 μm ფოლადის ბადის სისქე, 80 წმ რეფლუქსის დრო) და შემთხვევით გაზომილი იყო შედუღების ღრუს სიჩქარე 100 QFN და ჩიპი.QFN-ის შედუღების ღრუს საშუალო მაჩვენებელი იყო 16.4%, ხოლო ჩიპის საშუალო შედუღების ღრუს მაჩვენებელი იყო 14.7% ჩიპის და ჩიპის შედუღების ღრუს სიჩქარე აშკარად შემცირებულია.
4.2 ახალი პროცესი აუმჯობესებს შედუღების ღრუს
წარმოების ფაქტობრივი სიტუაცია და ტესტი აჩვენებს, რომ როდესაც შედუღების ღრუს ფართობი ჩიპის ბოლოში 10%-ზე ნაკლებია, ჩიპის ღრუს პოზიციის ბზარის პრობლემა არ წარმოიქმნება ტყვიის შეკვრისა და ჩამოსხმის დროს.DOE-ს მიერ ოპტიმიზებული პროცესის პარამეტრები ვერ აკმაყოფილებენ ხვრელების ანალიზისა და ამოხსნის მოთხოვნებს ჩვეულებრივი შედუღების პასტის შედუღებისას და საჭიროა ჩიპის შედუღების ღრუს სიჩქარის კიდევ უფრო შემცირება.
მას შემდეგ, რაც ჩიპი, რომელიც დაფარულია შედუღებაზე, ხელს უშლის შემაერთებელში გაზის გაქცევას, ჩიპის ქვედა ნაწილში ხვრელის სიჩქარე კიდევ უფრო მცირდება შედუღებით დაფარული გაზის აღმოფხვრის ან შემცირებით.მიღებულია ხელახალი შედუღების ახალი პროცესი ორი პასტის ბეჭდვით: ერთი შედუღების პასტის ბეჭდვა, ერთი გადასხმა, რომელიც არ ფარავს QFN-ს და შიშველი ჩიპი, რომელიც ათავისუფლებს გაზს შედუღებაში;მეორადი შედუღების პასტის ბეჭდვის, პაჩის და მეორადი რეფლუქსის სპეციფიკური პროცესი ნაჩვენებია სურათზე 13.
როდესაც პირველად იბეჭდება 75 μm სისქის სამაგრის პასტა, გაზის უმეტესი ნაწილი ჩიპური საფარის გარეშე გამოდის ზედაპირიდან, ხოლო სისქე რეფლუქსის შემდეგ არის დაახლოებით 50 μm.პირველადი რეფლუქსის დასრულების შემდეგ, გაცივებული გამაგრებული შედუღების ზედაპირზე იბეჭდება პატარა კვადრატები (გამაგრილებელი პასტის რაოდენობის შესამცირებლად, გაზის გაჟონვის რაოდენობის შესამცირებლად, შედუღების გაფანტვის შესამცირებლად ან აღმოსაფხვრელად) და შედუღების პასტა სისქე 50 μm (ზემოთ ჩატარებული ტესტის შედეგები აჩვენებს, რომ 100 μm არის საუკეთესო, ამიტომ მეორადი ბეჭდვის სისქეა 100 μm.50 μm=50 μm), შემდეგ დააინსტალირეთ ჩიპი და შემდეგ დააბრუნეთ 80 წმ.პირველი დაბეჭდვისა და ხელახალი გადინების შემდეგ შედუღებაზე თითქმის არ არის ხვრელი, ხოლო მეორე ბეჭდვისას შედუღების პასტა მცირეა, ხოლო შედუღების ხვრელი მცირეა, როგორც ნაჩვენებია სურათზე 14.
შედუღების პასტის ორი დაბეჭდვის შემდეგ, ღრუ ნახაზი
4.3 შედუღების ღრუს ეფექტის შემოწმება
2000 პროდუქტის წარმოება (პირველი საბეჭდი ფოლადის ბადის სისქე 75 მკმ, მეორე საბეჭდი ფოლადის ბადის სისქე 50 μm), სხვა პირობები უცვლელი, შემთხვევითი გაზომვა 500 QFN და ჩიპის შედუღების ღრუს სიჩქარე, აღმოჩნდა, რომ ახალი პროცესი პირველი რეფლუქსის შემდეგ არ არის ღრუ, მეორე რეფლუქსის შემდეგ QFN შედუღების ღრუს მაქსიმალური სიჩქარეა 4.8%, ხოლო ჩიპის შედუღების ღრუს მაქსიმალური სიჩქარეა 4.1%.ორიგინალური ერთი პასტის ბეჭდვის შედუღების პროცესთან და DOE ოპტიმიზებულ პროცესთან შედარებით, შედუღების ღრუ მნიშვნელოვნად არის შემცირებული, როგორც ნაჩვენებია სურათზე 15. ყველა პროდუქტის ფუნქციური ტესტირების შემდეგ არ იქნა ნაპოვნი ჩიპური ბზარები.
5 რეზიუმე
შედუღების პასტის ბეჭდვის რაოდენობის და რეფლუქსის დროის ოპტიმიზაციამ შეიძლება შეამციროს შედუღების ღრუს ფართობი, მაგრამ შედუღების ღრუს სიჩქარე მაინც დიდია.ორი შედუღების პასტის დაბეჭდვის ხელახალი შედუღების ტექნიკის გამოყენებამ შეიძლება ეფექტურად და მაქსიმალურად გაზარდოს შედუღების ღრუს სიჩქარე.QFN მიკროსქემის შიშველი ჩიპის შედუღების არე შეიძლება იყოს 4.4მმ x4.1მმ და 3.0მმ x2.3მმ შესაბამისად მასობრივ წარმოებაში. ხელახალი შედუღების ღრუს სიჩქარე კონტროლდება 5%-ზე ქვემოთ, რაც აუმჯობესებს ხელახალი შედუღების ხარისხს და საიმედოობას.ამ ნაშრომში ჩატარებული კვლევა იძლევა მნიშვნელოვან ცნობას დიდი ფართობის შედუღების ზედაპირის შედუღების ღრუს პრობლემის გასაუმჯობესებლად.